特許
J-GLOBAL ID：200903081098610117
窒化ガリウム系化合物半導体素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
豊栖 康弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-181595
公開番号（公開出願番号）：特開平8-340131
出願日： 1992年01月13日
公開日（公表日）： 1996年12月24日
要約：
【要約】【課題】 能率よく高い歩留で多量生産でき、p型層の発光効率を高くでき、さらに、低い電圧で素子破壊するのを有効に防止する。【解決手段】 方形状の絶縁性基板1に、窒化ガリウム系化合物半導体のn型層2およびp型層3を順番に設けている。p型層3は、外周縁とひとつの隅部が連続する同一面にエッチング除去されて、下層のn型層2を表出させる外周エッチング部7Bとコーナーエッチング部7Aを設けている。コーナーエッチング部7Aの表面にn型電極4を、p型層3の表面にp型電極5を接続して、両電極を同一面側に設けてワイヤーボンドされて通電し、p型層3の表面に積層して補助電極6を設け、この補助電極6をp型電極5に電気接続して、p型電極5からp型層の表面に延長して設けている。
請求項（抜粋）：
方形状の絶縁性基板(1)に、窒化ガリウム系化合物半導体のn型層(2)およびp型層(3)が順番に設けられており、n型層(2)は全体の形状を方形状とし、p型層(3)は、外周縁とひとつの隅部が連続する同一面にエッチング除去されて、方形状からひとつの隅部を除いた形状に形成され、このp型層(3)のエッチング除去部によって、下層のn型層(2)を表出させる外周エッチング部(7B)とコーナーエッチング部(7A)を設けており、外周エッチング部(7B)とコーナーエッチング部(7A)で囲まれる内側に、p型層(3)が設けられており、コーナーエッチング部(7A)の表面にはn型電極(4)を電気的に接続しており、さらに、p型層(3)は、表面にp型電極(5)を電気的に接続して設けて、p型電極(5)とn型電極(4)を、窒化ガリウム系化合物半導体素子の同一面側に設けて、p型電極(5)とn型電極(4)はワイヤーボンドされて通電されるように構成されており、さらにまた、p型電極(5)に接続して、p型層(3)の表面に積層して補助電極(6)が設けられており、この補助電極(6)はp型電極(5)に電気接続されると共に、p型電極(5)からp型層(3)の表面に延長して設けられており、この補助電極(6)でもって、p型電極(5)に供給される電流がp型層(3)に拡散して通電されるように構成されており、p型電極(5)とn型電極(4)とに電圧が印加されると、p型層(3)には、p型電極(5)から供給される電流が、補助電極(6)でp型層(3)の広い面積に拡散して供給されるように構成されてなる窒化ガリウム系化合物半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01L 29/44 B
