特許
J-GLOBAL ID：200903081099981348
III族窒化物系化合物半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-002095
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196702
出願日： 2000年01月11日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：
【要約】【課題】 発光層の下層の凹凸を抑制し、発光の散乱損失を抑制すること。【解決手段】レーザダイオード100は、サファイア基板101上に50nmのAlNバッファ層102、膜厚約4.0μm、電子密度6×1018/cm3、SiドープGaNから成るn+層103、膜厚1μm、電子密度5×1017/cm3、SiドープAl0.08Ga0.92Nから成るnクラッド層104、膜厚100nm、電子密度5×1017/cm3のSiドープGaNからなるnガイド層105が形成されている。nガイド層105の上には、膜厚約35ÅのGa0.85In0.15Nから成る井戸層61と膜厚約100ÅのGaNから成るバリア層62とが交互に積層された多重量子井戸構造(MQW)の活性層106が形成されている。その活性層106の上に、pガイド層107、pクラッド層108、pコンタクト層109が形成されている。サファイア基板101のオフ角を0.3度以下、nクラッド層104とnガイド層105のエピタキシャル成長速度を10nm/min以下、電子密度を1×1018/cm3未満とすることで、nクラッド層104とnガイド層105の凹凸を50nm以下とすることができる。
請求項（抜粋）：
発光層を有するIII族窒化物系化合物半導体発光素子において、前記発光層を形成する前に形成される下層のIII族窒化物系化合物半導体層上面の凹凸が、50nm以下であることを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S 5/343
, H01L 33/00 C
5F041AA03
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA41
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F041CB15
, 5F073AA55
, 5F073AA73
, 5F073AA74
, 5F073CA07
, 5F073CB04
, 5F073CB05
, 5F073CB07
, 5F073DA05
, 5F073DA31
