特許
J-GLOBAL ID：200903081100004530
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-160934
公開番号（公開出願番号）：特開平8-031872
出願日： 1994年07月13日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：
【要約】【目的】半導体素子と熱膨張係数が大きく異なる基板に対して、高信頼なフリップチップ接続を実現する。【構成】半導体素子1におけるバンプ4の形成面と反対側の表面に熱膨張係数制御板3を張り合わせることにより半導体素子1と搭載基板5との熱膨張係数の差を低減する半導体装置において、半導体素子1の厚さが前記熱膨張係数制御板3の厚さの10分の1以下の値を持つ。【効果】ガラスエポキシ基板など低コストな基板に対して高信頼なフリップチップ接続が容易になるので、半導体装置の低コスト化が図れる。
請求項（抜粋）：
半導体素子と、前記半導体素子が搭載される基板と、前記基板と前記半導体素子との対向する電極端子の間に形成された突起電極からなり、前記半導体素子の前記突起電極が形成された面と反対側の表面に、前記半導体素子の熱膨張係数とは異なる熱膨張係数を有する熱膨張係数制御板を接合することにより、前記半導体素子と前記基板との熱膨張係数の差を低減してなる半導体装置において、前記半導体素子の厚さが前記熱膨張係数制御板の厚さの10分の1以下の値を持つことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311
, H01L 21/321
