クロロシランを水素化する方法および装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：矢野敏雄 , 山崎利臣 , 久野琢也 , 杉本博司 , アインゼル・フェリックス=ラインハルト , ラインハルト・アインゼル
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-267779
公開番号（公開出願番号）：特開2007-091587
出願日： 2006年09月29日
公開日（公表日）： 2007年04月12日
要約：

【課題】クロロシランを水素化する方法および装置を提供する。【解決手段】クロロシランと接触する表面を有する反応室と、流れが直接通過することにより加熱され、クロロシランと接触する表面を有する加熱素子とを有し、その際、反応室および加熱素子はグラファイトからなる反応器中でクロロシランを水素化する方法において、第一工程で、反応室の表面および加熱素子の表面上に現場でSiC被覆が形成されるように、Si含有化合物ならびに水素を反応室の表面および加熱素子の表面と接触させ、かつ第二工程で、加熱素子を用いた反応室中でのクロロシラン/水素混合物の加熱によりクロロシランの水素化を行い、その際、第一工程を、第二工程における反応温度よりも高い反応温度で実施する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

クロロシランと接触する表面を有する反応室と、流れが直接通過することにより加熱され、クロロシランと接触する表面を有する加熱素子とを有し、その際、反応室および加熱素子はグラファイトからなる反応器中でクロロシランを水素化する方法において、第一工程で、反応室の表面および加熱素子の表面上に現場でSiC被覆が形成されるように、Si含有化合物ならびに水素を反応室の表面および加熱素子の表面と接触させ、かつ第二工程で、加熱素子を用いた反応室中でのクロロシラン/水素混合物の加熱によりクロロシランの水素化を行い、その際、第一工程を、第二工程における反応温度よりも高い反応温度で実施することを特徴とするクロロシランの水素化法。

IPC (2件)：

C01B 33/107 , B01J 19/00

FI (2件)：

C01B33/107 Z , B01J19/00 G

Fターム (27件)：

4G072AA05 , 4G072GG03 , 4G072GG04 , 4G072HH07 , 4G072HH08 , 4G072LL01 , 4G072MM01 , 4G072RR11 , 4G075AA03 , 4G075AA24 , 4G075AA53 , 4G075AA63 , 4G075AA65 , 4G075BA10 , 4G075BC04 , 4G075CA13 , 4G075DA02 , 4G075DA13 , 4G075DA18 , 4G075EA05 , 4G075EB01 , 4G075EB46 , 4G075EC01 , 4G075EC07 , 4G075EE31 , 4G075FB04 , 4G075FC07

引用特許：

出願人引用 (14件)

US5422088
US4702960、
US4373006

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審査官引用 (9件)

特開平1-110721
特開昭54-038293
特開昭63-025211

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