特許

J-GLOBAL ID：200903081108664539

バイポーラトランジスタの製造方法

発明者： 岡田 洋
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-228827
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086301
出願日： 1993年09月14日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 ポリサイド電極によるベース引き出し及びエピタキシャル成長によるベース層の形成の共存に伴うベース層内金属汚染をなくし、高周波特性に優れたバイポーラトランジスタの製造方法を提供する。【構成】 N型単結晶Si基板1上に第一のSiO2 膜2を形成する工程と、この第一のSiO2 膜2上にP型多結晶Si膜3を形成する工程と、このP型多結晶Si膜3上にWSi膜4を形成する工程と、このWSi膜4上に第2のSiO2 膜5を形成し、ホトリソ・エッチングによりベース形成予定領域の前記第2のSiO2 膜5、前記WSi膜4、前記P型多結晶Si膜3とを除去する工程と、熱酸化により、前記WSi膜4、前記P型多結晶Si膜3の側壁に第3のSiO2 膜6を形成する工程と、等方性エッチングにより、前記P型多結晶Si膜3の側壁に第3のSiO2 膜6及び開口底部の前記第一のSiO2 膜2を除去する工程と、選択エピタキシャル成長により、P型ベース領域となるP+ 単結晶7を形成する工程とを施す。

請求項（抜粋）：

(a)第1導電型の単結晶半導体基板上に第1の酸化シリコン膜を形成する工程と、(b)該第1の酸化シリコン膜上に第2導電型の多結晶シリコン膜を形成する工程と、(c)該多結晶シリコン膜上に金属シリサイド膜を形成する工程と、(d)該金属シリサイド膜上に第2の酸化シリコン膜を形成する工程と、(e)ホトリソ・エッチングによりベース形成予定領域の前記第2の酸化シリコン膜、前記金属シリサイド膜、前記多結晶シリコン膜とを除去する工程と、(f)熱酸化により前記金属シリサイド膜、前記多結晶シリコン膜の側壁に第3の酸化シリコン膜を形成する工程と、(g)等方性エッチングにより前記多結晶シリコン膜の側壁の第3の酸化シリコン膜及び開口底部の前記第1の酸化シリコン膜を除去する工程と、(h)選択エピタキシャル成長により第2導電型のベース領域を形成する工程とを施すことを特徴とするバイポーラトランジスタの製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/8249 ,  H01L 27/06 ,  H01L 29/40

FI (2件)：

H01L 29/72 ,  H01L 27/06 321 B