特許

J-GLOBAL ID：200903081109156456

化学的気相成長装置

発明者： 水野 眞一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-120743
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308014
出願日： 2000年04月21日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：

【要約】【課題】 化学的気相成長装置内の基板を均一にかつ短時間に加熱して、欠陥の発生が少ない成膜を実現するとともに処理能力の向上を図る。【解決手段】 内部にシリコン基板51が載置されるものでシリコン基板51表面に薄膜が成膜される反応室11と、反応室11内に電磁波を供給するもので反応室11に接続した電磁波発生器12を備えた基板加熱源とを備えたものである。もしくは、内部に基板が載置される空洞共振器と、空洞共振器内に電磁波を供給するもので空洞共振器に接続した電磁波発生器を備えた基板加熱源とを備えたものである。

請求項（抜粋）：

内部に基板が載置されるもので前記基板表面に薄膜が成膜される反応室と、前記反応室内に電磁波を供給するもので前記反応室に接続した電磁波発生器を備えた基板加熱源とを備えたことを特徴とする化学的気相成長装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/46

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/46

Fターム (23件)：

4K030AA06 ,  4K030BA29 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030KA23 ,  5F045AA03 ,  5F045AB02 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AD14 ,  5F045AF03 ,  5F045BB08 ,  5F045BB12 ,  5F045DP19 ,  5F045EC05 ,  5F045EH03 ,  5F045EK02 ,  5F045EM08 ,  5F045EM09