特許

J-GLOBAL ID：200903081113127193

オゾン酸化法

発明者： 岩松 誠一
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-182129
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029307
出願日： 1991年07月23日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：

【要約】【目的】 欠陥密度や界面準位密度が小にて、且つ高純度の酸化膜を高速で形成形成する。【構成】 純水にオゾンを含有させ、該オゾン含有純水に被酸化物を浸漬または曝す。

請求項（抜粋）：

容器内には純水が有り、該純水中にはオゾン ガスが導入されると共に、該オゾン含有純水にはシリコン ウエーハ等の半導体等を浸漬または曝して酸化する事を特徴とするオゾン酸化法。