特許

J-GLOBAL ID：200903081114518366

シリコン単結晶およびその製造方法ならびに製造装置

発明者： 大橋 渡 ,  砂川 辰則 ,  岡島 正樹 ,  長谷部 政美 ,  大久保 正道
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社 ,  ニッテツ電子株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-197547
公開番号（公開出願番号）：特開平11-043396
出願日： 1997年07月23日
公開日（公表日）： 1999年02月16日
要約：

【要約】【課題】 COP欠陥の著しく少ない酸化膜耐圧特性に優れた、あるいは転位欠陥の著しく少ないPN接合リーク電流特性などのデバイス特性に優れたCZシリコン単結晶を製造する。【解決手段】 チョクラルスキー法による直径100mm以上のシリコン単結晶の製造において、融液M面近傍においてシリコン単結晶Sを取り囲むように配置した冷却部(40)と、この冷却部の融液面側および外周側面側に設けた断熱部(41、42)と、前記冷却部の上方にシリコン単結晶を取り囲むように配置された結晶成長方向に200mm以上の長さを有する加熱部(50)とを有する製造装置を用い、結晶凝固温度から結晶温度1300°Cまでを冷却勾配2°C/mm以上とし、その後結晶温度が1200°C以上凝固温度以下での保持領域が200mm以上となる条件で結晶引上成長を行なう。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法による直径100mm以上のシリコン単結晶の製造において、結晶凝固温度から結晶温度1300°Cまでを冷却勾配2°C/mm以上とし、その後結晶温度が1200°C以上凝固温度以下での保持領域が200mm以上となる条件で結晶引上成長を行なうことを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。

IPC (4件)：

C30B 29/06 502 ,  C30B 15/14 ,  C30B 15/20 ,  H01L 21/208

FI (4件)：

C30B 29/06 502 E ,  C30B 15/14 ,  C30B 15/20 ,  H01L 21/208 P