特許
J-GLOBAL ID：200903081117393912
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-073158
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269379
出願日： 1999年03月18日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：
【要約】【課題】メッキ用配線スタブを含み高周波信号用に用いられる半導体装置に関して、前記メッキ用配線スタブの存在により発生する信号共振及び信号波形段差を避けるための配線及び外部接続端子配置を提供する。【解決手段】配線基板の外縁部に近い側に位置する第一の外部端子に接続される信号の立ち上がり時間の方が、第一の外部端子よりも配線基板の中心側に位置する第二の外部端子に接続される信号の立ち上がり時間よりも短くなるように構成する。
請求項（抜粋）：
半導体素子と、前記半導体素子に電気的に接続された複数の配線と、前記配線の各々に設けられた前記配線に金属メッキを施すためのスタブと、前記配線の各々に電気的に接続された外部接続端子と、前記配線と、前記スタブと、前記外部接続端子とが配設された配線基板とを備えた半導体装置において、前記外部接続端子のうち前記配線基板の外縁部に近い側に位置する第一の外部端子に接続される信号の立ち上がり時間の方が、前記第一の外部端子よりも前記配線基板の中心側に位置する第二の外部端子に接続される信号の立ち上がり時間よりも短いことを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 23/12 Q
, H01L 23/12 L
