特許

J-GLOBAL ID：200903081118648914

半導体装置の製造方法

発明者： 小林 徹
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-055930
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259128
出願日： 1992年03月16日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：

【要約】【目的】 本発明はSi基板, 或いはポリSi膜上のSiO2膜にコンタクトホールを開口するための製造方法に関し, SiとSiO2の高選択比のエッチングを行なえるガス系を用いることを目的とする。【構成】 Si基板1,或いはポリSi膜2上のSiO2膜3にコンタクトホール6を形成するに際して,CHF3+H2O,或いは CHF3 +N2O の二元系エッチングガス5を用いたドライエッチングにより, SiO2膜3にコンタクトホール6を開口するように構成する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板(1) ,或いは多結晶シリコン膜(2) 上の二酸化シリコン膜(3) にコンタクトホール(6) を形成するに際して,三弗化メタンと水,或いは笑気の二元系エッチングガス(5) を用いたドライエッチングにより, 該二酸化シリコン膜(3) に該コンタクトホール(6) を開口することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/28