特許

J-GLOBAL ID：200903081121614486

有機強誘電体キャパシタの製造方法、有機強誘電体キャパシタ、有機強誘電体メモリ、および電子機器

発明者： 安田 拓朗 ,  柄沢 潤一
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (2件)： 増田 達哉 ,  朝比 一夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-372623
公開番号（公開出願番号）：特開2007-173728
出願日： 2005年12月26日
公開日（公表日）： 2007年07月05日
要約：

【課題】優れた分極反転の応答性およびヒステリシス特性を有する有機強誘電体キャパシタの製造方法、有機強誘電体キャパシタ、有機強誘電体メモリ、および電子機器を提供すること。【解決手段】本発明の有機強誘電体キャパシタの製造方法は、結晶性を有する有機強誘電体材料を主材料として構成された記録層4を基板2上に形成するものであって、基板2上に、有機強誘電体材料を含む液状材料4Aを付与し脱溶媒処理して、記録層の結晶化度よりも低い結晶化度で、有機強誘電体材料を主材料として構成された低結晶化度膜4Bを形成する工程と、低結晶化度膜4B中の有機強誘電体材料を結晶化して、記録層4を形成する工程とを有し、記録層4を形成する工程では、低結晶化度膜4Bに対し基板2の板面に直角な方向の電界を印加しつつ、結晶化を行って、記録層4内の配向度を高める。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

結晶性を有する有機強誘電体材料を主材料として構成された記録層を基板上に形成し、有機強誘電体キャパシタを製造する方法であって、 前記基板上に、前記有機強誘電体材料を含む液状材料を付与し脱溶媒処理して、前記記録層の結晶化度よりも低い結晶化度で、前記有機強誘電体材料を主材料として構成された低結晶化度膜を形成する工程と、 前記低結晶化度膜中の前記有機強誘電体材料を結晶化して、前記記録層を形成する工程とを有し、 前記記録層を形成する工程では、前記低結晶化度膜に対し前記基板の板面に直角な方向の電界を印加しつつ、前記結晶化を行って、前記記録層内の配向度を高めることを特徴とする有機強誘電体キャパシタの製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/312 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 27/28 ,  H01L 51/05

FI (6件)：

H01L21/312 A ,  H01L27/10 444A ,  H01L27/10 444B ,  H01L27/10 449 ,  H01L29/28 100A ,  H01L27/10 444Z

Fターム (17件)：

5F058AA07 ,  5F058AA10 ,  5F058AC10 ,  5F058AG01 ,  5F058AG10 ,  5F083FR02 ,  5F083FR03 ,  5F083FR05 ,  5F083FZ07 ,  5F083GA27 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA42 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33