特許
J-GLOBAL ID：200903081122885920
半導体装置の電極部及び電極部の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-146947
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315286
出願日： 1992年05月13日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：
【要約】【目的】半導体基板において、下地領域と電気的接続を行うための、低抵抗で且つ安定した特性を有する電極部及びかかる電極部の形成方法を提供する。【構成】半導体装置の電極部は、(イ)第1の金属シリサイド層52と、(ロ)第1の金属シリサイド層の上に形成され、第1の金属シリサイド層のショットキー障壁値よりも高いショットキー障壁値を有し、第1の金属シリサイド層よりも低い抵抗率を有する第2の金属シリサイド層42、から成る。また、電極部の形成方法は、(イ)下地領域24上に、第1の金属層50を形成する工程と、(ロ)シリサイド化したときのシリサイド層のショットキー障壁値が、第1の金属層をシリサイド化したときのシリサイド層のショットキー障壁値よりも高く、シリサイド化したときのシリサイド層の抵抗率が、該第1の金属層をシリサイド化したときのシリサイド層の抵抗率よりも低い、第2の金属層40を、該第1の金属層上に形成する工程と、(ハ)第1及び第2の金属層をシリサイド化する工程、から成る。
請求項（抜粋）：
半導体基板に形成された下地領域と電気的接続を行う半導体装置の電極部であって、(イ)第1の金属シリサイド層と、(ロ)該第1の金属シリサイド層の上に形成され、該第1の金属シリサイド層のショットキー障壁値よりも高いショットキー障壁値を有し、第1の金属シリサイド層よりも低い抵抗率を有する第2の金属シリサイド層、から成ることを特徴とする半導体装置の電極部。
IPC (3件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/90
, H01L 29/784
