特許

J-GLOBAL ID：200903081126310116

シリコン系薄膜光電変換装置

発明者： 福田 丞 ,  吉見 雅士
出願人/特許権者： 鐘淵化学工業株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-244905
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068712
出願日： 1999年08月31日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：

【要約】【課題】 導電層における多重反射による光吸収ロスを低減することによって、シリコン系薄膜光電変換装置の性能を改善する。【解決手段】 シリコン系薄膜光電変換装置を構成する第1導電型半導体層104または第2導電型半導体層106の少なくともいずれかは、屈折率が1の成分を体積分率で5%以上、50%以下含む。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された少なくとも1つの光電変換ユニットを含み、前記光電変換ユニットの少なくとも1つは順次積層された第1導電型半導体層と、シリコン系薄膜光電変換層と、前記第1導電型と逆の第2の導電型半導体層とを含み、前記第1導電型半導体層または前記第2導電型半導体層の少なくともいずれかは、屈折率が1の成分を体積分率で5%以上、50%以下含むことを特徴とする、シリコン系薄膜光電変換装置。

FI (2件)：

H01L 31/04 B ,  H01L 31/04 V

Fターム (15件)：

5F051AA05 ,  5F051CA07 ,  5F051CA08 ,  5F051CA09 ,  5F051CA16 ,  5F051DA04 ,  5F051DA20 ,  5F051FA02 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051FA18 ,  5F051GA02 ,  5F051GA03 ,  5F051GA05