特許

J-GLOBAL ID：200903081130662000

プロセス評価装置および評価方法

発明者： 横川 賢悦 ,  二宮 健 ,  鈴木 敬三
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-154367
公開番号（公開出願番号）：特開平5-002060
出願日： 1991年06月26日
公開日（公表日）： 1993年01月08日
要約：

【要約】【目的】真空中で処理された、あるいは処理中の被測定試料を大気にさらすことなく高真空状態で磁気共鳴現象の測定を行なう。【構成】他の幾つかの真空室1,2,3と連続的に真空排気されたESR分析室4をゲートバルブ5,15,16を介して接続し、それらの間を被測定試料が自由に搬送できるよう搬送系11,12,13を付加した。【効果】上記の装置構成により、大気にさらすことなく反応過程または反応の痕跡を評価することが可能となった。

請求項（抜粋）：

エネルギーを分離させたスピン系に、その分離幅もしくは分離幅近傍のエネルギーに相当する電磁波を供給する機構を有する磁気共鳴現象の測定手段において、測定手段全体もしくは該測定手段の一部を真空排気可能とし、他の幾つかの真空室と接続可能な手段を有することを特徴とするプロセス評価装置。

IPC (3件)：

G01R 33/60 ,  G01R 33/30 ,  G01R 33/28

FI (3件)：

G01N 24/10 R ,  G01N 24/10 E ,  G01N 24/10 A