特許
J-GLOBAL ID：200903081130797690
電圧駆動形半導体素子の駆動回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-315689
公開番号（公開出願番号）：特開平5-161342
出願日： 1991年11月29日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：
【要約】【目的】従来、IGBTQ1の過電流故障時の順電圧降下増大をツェナダイオードZD1の導通で検知し、コンデンサC2を抵抗R2,トランジスタT4を介し緩放電させて出力トランジスタT2を介しQ1をソフト遮断する回路では、Q1の通常のターンオン確立前にゲート駆動信号VDR(フォトカプラPH1のオン)によってZD1が導通しC2を放電させてターンオンを妨げるので、これを防ぐ為ZD1のカソードにターンオン確認タイマコンデンサを挿入していたが、逆にこのタイマがQ1の過電流遮断を遅らせそのストレスを増大させていたのでこれを防ぐ。【構成】タイマコンデンサを取外し、充電時間短縮回路20としてのトランジスタT21,T22を付加し、Q1ターンオン時、Q1のコレクタ電圧が下降しZD1がオフした瞬間にT22をオンして緩放電しつつあるC2を急速充電してQ1のターンオンを確保する。
請求項（抜粋）：
制御回路からの駆動信号によってオン,オフされる信号絶縁用のフォトカプラと、このフォトカプラを介しベースを共通に駆動されて互に逆のオン,オフ動作を行い、電圧駆動形半導体素子をオン,オフ駆動する1対の出力トランジスタと、オン状態の前記電圧駆動形半導体素子の順電圧降下が、所定値を越えているか否かに応じて夫々該半導体素子が過電流異状状態か正常なオン状態かを判別する過電流検知手段と、この過電流検知手段の前記過電流異状状態の判別に基づいて、可変電圧源としてのコンデンサを徐々に放電させて前記1対の出力トランジスタのベースを優先駆動し、前記電圧駆動形半導体素子のゲート電圧を徐々に降下させる過電流保護手段とを備えた電圧駆動形半導体素子の駆動回路において、前記電圧駆動形半導体素子のターンオン時、前記過電流検知手段が前記正常なオン状態を判別した後、前記可変電圧源のコンデンサを急速に充電する手段を備えたことを特徴とする電圧駆動形半導体素子の駆動回路。
IPC (2件)：
H02M 1/00
, G05F 1/10 304
