特許

J-GLOBAL ID：200903081133956277

シリコンウェーハ、およびこのシリコンウェーハを得るためのシリコン単結晶の製造方法、ならびにその評価方法

発明者： 中居 克彦 ,  岩崎 俊夫 ,  原田 博文 ,  芳賀 博世
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-066074
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264611
出願日： 1995年03月24日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】 集積度の高い高集積回路を高い歩留まりで製造するために好適なシリコンウェーハを提供することを目的とする。【構成】 CZ法によってシリコン単結晶を引上げる工程において、凝固後のシリコン単結晶の冷却速度を制御することによって、この単結晶をスライシング、ラッピング、エッチングおよび鏡面加工して作製するシリコンウェーハの裏面を鏡面研磨した後洗浄し、結晶欠陥評価装置である Optical Precipitates Profilerにてシリコンウェーハ内部に存在する結晶欠陥を測定したとき、結晶欠陥に起因する信号強度と結晶欠陥の体積密度分布が、(信号強度が4V以上の欠陥の密度)/(信号強度が2V以上の欠陥の密度)>0.2を満たすことを特徴とするシリコンウェーハ。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法によって引き上げられたシリコン単結晶を、スライシング、ラッピング、エッチングおよび鏡面加工して作製するシリコンウェーハにおいて、該シリコンウェーハの裏面を鏡面加工した後洗浄し、結晶欠陥評価装置にてシリコンウェーハ内部に存在する結晶欠陥を測定した時、結晶欠陥に起因する信号強度と結晶欠陥体積密度が、(信号強度が4V以上の欠陥密度)/(信号強度が2V以上の欠陥密度)>0.2を満たすことを特徴とするシリコンウェーハ。

IPC (3件)：

H01L 21/66 ,  C30B 15/00 ,  C30B 29/06 502

FI (3件)：

H01L 21/66 N ,  C30B 15/00 Z ,  C30B 29/06 502 E