特許
J-GLOBAL ID:200903081134326560
ポジ型フォトレジスト組成物
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
萩野 平 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-083404
公開番号(公開出願番号):特開2000-275841
出願日: 1999年03月26日
公開日(公表日): 2000年10月06日
要約:
【要約】【課題】 深紫外線、特にArFエキシマレーザー光に対して、良好な感度、解像度を有し、且つ基板との密着性が良好で、従来のレジストに使用していた現像液(例えば2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液)に対しても良好な現像性を示すポジ型フォトレジスト組成物を提供することである。【解決手段】活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、多環型の脂環式基と酸分解性基とを有し、酸の作用により分解してアルカリに対する溶解性が増加する樹脂、及び特定構造のチオカルボニル基含有化合物を含有するポジ型フォトレジスト組成物。
請求項(抜粋):
(A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、(B)多環型の脂環式基と酸分解性基を有し、酸の作用により分解しアルカリに対する溶解性が増加する樹脂、並びに(C)下記一般式(I)、(II)、及び(III)で表される化合物群から選択される少なくとも1種のチオカルボニル基含有化合物、を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。【化1】上記式中:R01〜R04は、同一又は異なって、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、-N(R07)(R'07)又は-N=C(R07)(R'07)を表す。ここで、R07、R'07は、同一又は異なって、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、又はアラルキル基を表す。なお、R01〜R04及びR07、R'07における各基は、置換基を有していてもよい。R05、R06は、同一又は異なって、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、又はアラルキル基を表す。これらの基は、置換基を有していてもよい。一般式(I)のR01〜R04の内の任意の2つが、一般式(II)のR01、R02、及びR05の内の任意の2つが、そして一般式(III)のR01、R02、及びR06の内の任意の2つが、各々結合してヘテロ原子を含んでもよい環構造を形成してもよい。Xは、酸素原子又は硫黄原子を表す。
IPC (3件):
G03F 7/039 601
, G03F 7/004 501
, H01L 21/027
FI (3件):
G03F 7/039 601
, G03F 7/004 501
, H01L 21/30 502 R
Fターム (13件):
2H025AA01
, 2H025AA02
, 2H025AA09
, 2H025AA14
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025CB14
, 2H025CB41
, 2H025CC20
, 2H025FA17
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