特許
J-GLOBAL ID:200903081136417717
半導体装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
西野 卓嗣
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-295854
公開番号(公開出願番号):特開平6-151900
出願日: 1992年11月05日
公開日(公表日): 1994年05月31日
要約:
【要約】【目的】 MOS型の半導体装置において、電源から独立し且つ寄生バイポーラトランジスタ効果を生じない順方向ダイオードを形成すること。【構成】 N型Si基板(11)の表面に形成されたP型のウエル層(12)と、該ウエル層(12)内の表面に形成されたN-層(13)と、該N-層(13)内の表面に形成されたP+拡散層(14)とを有し、P+拡散層(14)からアノード電極(15)を取り出し、ウエル層(12)とN-層(13)とを接続してカソード電極(16)を取り出すことによりダイオードを形成する。
請求項(抜粋):
一導電型の半導体基板の表面に形成された逆導電型のウエル層と、該ウエル層内の表面に形成された一導電型の低濃度拡散層と、該拡散層内の表面に形成された逆導電型の高濃度拡散層とを有し、前記高濃度拡散層からアノード電極を取り出し、前記ウエル層と前記低濃度拡散層とを接続してカソード電極を取り出してなるダイオードを有することを特徴とする半導体装置。
引用特許:
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