特許

J-GLOBAL ID：200903081136417717

半導体装置

発明者： 菊地 修一
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-295854
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151900
出願日： 1992年11月05日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【目的】 MOS型の半導体装置において、電源から独立し且つ寄生バイポーラトランジスタ効果を生じない順方向ダイオードを形成すること。【構成】 N型Si基板(11)の表面に形成されたP型のウエル層(12)と、該ウエル層(12)内の表面に形成されたN-層(13)と、該N-層(13)内の表面に形成されたP+拡散層(14)とを有し、P+拡散層(14)からアノード電極(15)を取り出し、ウエル層(12)とN-層(13)とを接続してカソード電極(16)を取り出すことによりダイオードを形成する。

請求項（抜粋）：

一導電型の半導体基板の表面に形成された逆導電型のウエル層と、該ウエル層内の表面に形成された一導電型の低濃度拡散層と、該拡散層内の表面に形成された逆導電型の高濃度拡散層とを有し、前記高濃度拡散層からアノード電極を取り出し、前記ウエル層と前記低濃度拡散層とを接続してカソード電極を取り出してなるダイオードを有することを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭62-008552