特許

J-GLOBAL ID：200903081138035099

固体撮像装置

発明者： 瀬戸田 正純
出願人/特許権者： 日本ビクター株式会社
代理人 (1件)： 浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-152185
公開番号（公開出願番号）：特開2001-332715
出願日： 2000年05月23日
公開日（公表日）： 2001年11月30日
要約：

【要約】【課題】 デジタル回路に適したSOIウエハの利点を生かして処理の高速化が可能となり、しかもバルクウエハと同様の光感度を有してダイナミックレンジも高くすることができる固体撮像装置を提供する。【解決手段】 内部光電効果素子D1とこの内部光電効果素子に接続されるリセットトランジスタTr1と前記内部光電効果素子に関連する周辺素子Tr2とを少なくとも有する固体撮像装置において、半導体ウエハ2の上面に前記内部光電効果素子と前記リセットトランジスタとを形成し、前記半導体ウエハの上方にSOI(Silicon On Insulator)を用いて前記周辺素子を形成する。これにより、デジタル回路に適したSOIウエハの利点を生かして処理の高速化が可能となり、しかもバルクウエハと同様の光感度を有してダイナミックレンジも高くする。

請求項（抜粋）：

内部光電効果素子とこの内部光電効果素子に接続されるリセットトランジスタと前記内部光電効果素子に関連する周辺素子とを少なくとも有する固体撮像装置において、半導体ウエハの上面に前記内部光電効果素子と前記リセットトランジスタとを形成し、前記半導体ウエハの上方にSOI(Silicon On Insulator)を用いて前記周辺素子を形成したことを特徴とする固体撮像装置。

IPC (5件)：

H01L 27/146 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 31/02 ,  H04N 5/335

FI (6件)：

H04N 5/335 Z ,  H04N 5/335 E ,  H01L 27/14 F ,  H01L 29/78 613 Z ,  H01L 29/78 627 D ,  H01L 31/02 A

Fターム (39件)：

4M118AA02 ,  4M118AA04 ,  4M118AB01 ,  4M118CA03 ,  4M118DC06 ,  4M118FA31 ,  4M118FA46 ,  4M118GA01 ,  4M118GB12 ,  4M118HA21 ,  4M118HA22 ,  5C024CX41 ,  5C024CX43 ,  5C024CY47 ,  5C024GX03 ,  5C024GY41 ,  5F088AA02 ,  5F088AB03 ,  5F088BA02 ,  5F088BA20 ,  5F088BB03 ,  5F088CB14 ,  5F088CB20 ,  5F088EA04 ,  5F088EA08 ,  5F088EA14 ,  5F088HA10 ,  5F110BB10 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE09 ,  5F110FF02 ,  5F110FF22 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ17