特許

J-GLOBAL ID：200903081145415506

半導体装置の製造方法

発明者： 宮本 孝章
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-179169
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007197
出願日： 1999年06月25日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：

【要約】【課題】 コバルトシリサイド層の抵抗を上昇させている膜中の残留酸素を除去して、低抵抗なコバルトシリサイド層の形成を図る。【解決手段】 高融点金属シリサイド層12上にシリコンと酸素との結合エネルギーおよび高融点金属シリサイド層12を構成する高融点金属と酸素との結合エネルギーよりも大きい酸素との結合エネルギーを有する金属膜13を形成した後、熱処理を行って金属膜13と高融点金属シリサイド層12中に含まれている酸素とを反応させて酸素を含む金属膜15を形成し、その後、酸素を含む金属膜15を除去することを特徴としている。また上記熱処理を金属膜13の成膜と同時に行って、金属膜13を形成すると同時に高融点金属シリサイド層12上に酸素を含む金属膜15を形成してもよい。また金属膜13上には酸化防止膜14を形成することが好ましい。

請求項（抜粋）：

高融点金属シリサイド層上にシリコンと酸素との結合エネルギーおよび前記高融点金属シリサイド層を構成する高融点金属と酸素との結合エネルギーよりも大きい酸素との結合エネルギーを有する金属膜を形成する工程と、熱処理を行って前記金属膜と前記高融点金属シリサイド層中に含まれている酸素とを反応させて酸素を含む金属膜を形成する工程と、前記酸素を含む金属膜を除去する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 21/762 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/768 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (5件)：

H01L 21/76 D ,  H01L 21/28 301 T ,  H01L 21/90 C ,  H01L 29/78 301 P ,  H01L 27/10 671 Z

Fターム (58件)：

4M104AA01 ,  4M104BB20 ,  4M104BB24 ,  4M104BB25 ,  4M104BB26 ,  4M104BB28 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD02 ,  4M104DD22 ,  4M104DD23 ,  4M104DD78 ,  4M104DD83 ,  4M104DD84 ,  4M104FF22 ,  4M104GG09 ,  5F032AA12 ,  5F033HH08 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK25 ,  5F033KK26 ,  5F033KK27 ,  5F033KK28 ,  5F033KK29 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP04 ,  5F033PP12 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ69 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ94 ,  5F033QQ98 ,  5F033XX10 ,  5F040DA10 ,  5F040DC01 ,  5F040EF02 ,  5F040EH01 ,  5F040EH02 ,  5F040EK01 ,  5F040FA03 ,  5F040FB01 ,  5F083GA02 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083MA04 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19