特許

J-GLOBAL ID：200903081153658213

半導体結晶ウエハの洗浄方法

発明者： 谷 毅彦
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-292563
公開番号（公開出願番号）：特開平11-126766
出願日： 1997年10月24日
公開日（公表日）： 1999年05月11日
要約：

【要約】【課題】本発明の課題は、表面を鏡面研磨された半導体結晶ウエハの鏡面上に残留している極く微量の不純物を完全に洗浄、除去でき、それにより半導体結晶ウエハの鏡面上にエピタキシャル機能層を成長させたときにはそのエピタキシャル機能層とウエハとの界面に導電層の形成を皆無にすることができる半導体結晶ウエハの洗浄方法を提供することにある。【解決手段】本発明は、表面が鏡面研磨されている半導体結晶ウエハを、バンドギャップ以上のエネルギーを有する光が照射されている溶存オゾン濃度0.5ppm 以上のオゾン溶存超純水若しくは20%HF超純水溶液若しくは20%アンモニア超純水溶液に浸漬した後、酸溶液若しくはアルカリ溶液若しくは酸とアルカリの混合溶液により洗浄し、然る後超純水で洗浄することを特徴とする半導体結晶ウエハの洗浄方法にある。

請求項（抜粋）：

表面が鏡面研磨されている半導体結晶ウエハをバンドギャップ以上のエネルギーを有する光が照射されている溶存オゾン濃度0.5ppm 以上のオゾン溶存超純水に浸漬することにより酸化膜を形成させた後、該酸化膜を酸溶液若しくはアルカリ溶液若しくは酸とアルカリの混合溶液により溶解、洗浄し、然る後超純水で洗浄することを特徴とする半導体結晶ウエハの洗浄方法。