特許

J-GLOBAL ID：200903081158369457

オフセット印刷方法及び画像形成装置の製造方法

発明者： 米元 一成 ,  石川 信行 ,  緑川 理子
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-146858
公開番号（公開出願番号）：特開2000-335073
出願日： 1999年05月26日
公開日（公表日）： 2000年12月05日
要約：

【要約】【課題】 凹部パターンへのインキ充填量が充分であり、印刷パターンの膜厚の確保や形状が安定した高精細印刷が可能なオフセット印刷法、及び高精細、大面積の平面型画像形成装置を製造する方法を提供する。【解決手段】 凹部パターン1の深さが5μm以上の凹版105を用い、少なくとも2回以上インキング及びドクタリングを繰り返すオフセット印刷方法、及びこのオフセット印刷方法により素子電極を形成する画像形成装置の製造方法。次のインキング及びドクタリングを行う前に、凹版105上に赤外線ランプ5を当てて凹版内のインキの表面を半乾燥することが望ましい。

請求項（抜粋）：

凹部パターン深さが5μm以上の凹版を用い、少なくとも2回以上インキング及びドクタリングを繰り返すことを特徴とするオフセット印刷方法。

IPC (4件)：

B41M 1/10 ,  B41F 3/38 ,  B41F 3/81 ,  B41F 17/14

FI (4件)：

B41M 1/10 ,  B41F 3/38 ,  B41F 3/81 ,  B41F 17/14 E

Fターム (11件)：

2H113AA01 ,  2H113AA04 ,  2H113BA03 ,  2H113BB09 ,  2H113BB22 ,  2H113BC12 ,  2H113CA17 ,  2H113CA46 ,  2H113DA04 ,  2H113FA35 ,  2H113FA44