特許
J-GLOBAL ID：200903081159180307
化合物半導体装置とその製法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-223840
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077127
出願日： 1992年08月24日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：
【要約】【構成】選択成長によって得られるエピタキシャル結晶成長層の膜厚はパターンのサイズやパターンの粗密によって異なった値になる原理を用い、所望の成長膜厚を得るために基本セルの中で選択成長率によって膜厚を決め、これを各素子の結晶領域として用いている。【効果】同一ウエハ内に結晶膜厚の異なる領域を任意に作ることができるので、特性の異なる素子を一回の製作で得ることが可能になり、しきい電圧の異なるFETアレイやシート抵抗の異なる抵抗素子アレイを配置しておき、設計値に一番近い素子だけを選別して用い100%の歩留まりが達成できるようになった。
請求項（抜粋）：
少なくとも一回のエピタキシャル成長によって同一ウエハ内に主として結晶膜厚の異なる領域を任意に設けてなることを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/20
, H01L 21/02
, H01L 21/338
, H01L 29/812
