特許
J-GLOBAL ID：200903081159637129
複合酸化物薄膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
古谷 栄男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-125654
公開番号（公開出願番号）：特開平6-340487
出願日： 1993年05月27日
公開日（公表日）： 1994年12月13日
要約：
【要約】【目的】 厚膜の複合酸化物薄膜をクラックが生じることなく簡便に形成することができる複合酸化物薄膜の形成方法を提供することを目的とする。【構成】 ゾル・ゲル法により、基板上面のゾル溶液が塗布,乾燥(ステップS1,S2)されて形成された薄膜に対して、所定エネルギーの照射線を照射するようにして(ステップS3)、薄膜の加水分解,重縮合の反応をすすませるようにしている。従って、複合酸化物薄膜が高分子化するため、厚膜の複合酸化物薄膜であってもクラックが生じなくなる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上面にゾル・ゲル法を用いて、複合酸化物薄膜を形成する方法であって、半導体基板上面にゾル溶液を塗布する塗布工程、塗布工程により塗布された薄膜中の溶剤を乾燥する薄膜乾燥工程、薄膜乾燥工程により乾燥された薄膜に対して所定エネルギーの照射線を照射する照射工程、照射工程により照射された薄膜を焼成温度で焼成する薄膜焼成工程、を備えたことを特徴とする複合酸化物薄膜の形成方法。
IPC (5件)：
C30B 5/00
, H01L 41/24
, H01G 4/10
, H01L 27/108
, H01L 39/24
H01L 41/22 A
, H01L 27/10 325 J
