特許

J-GLOBAL ID：200903081160509533

誘電体薄膜の作製方法

発明者： 西沢 元亨 ,  塚田 峰春 ,  栗原 和明 ,  亀原 伸男
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-236475
公開番号（公開出願番号）：特開平9-078249
出願日： 1995年09月14日
公開日（公表日）： 1997年03月25日
要約：

【要約】【課題】 BSTの優れた高誘電性を保ちながら,利用可能な程度に薄くBST膜を作製する方法を提供する。【解決手段】 1) Ba ,Sr,Tiの各有機金属塩あるいは金属アルコキシドを溶媒に溶かした溶液を所定量混合し,基板上にスピンコートして,熱処理することにより(Ba1-x Srx )TiO3 薄膜(0 ≦x≦1)を形成する際に,熱処理後の1層の厚みを10〜30 nm とし,スピンコートと熱処理を繰り返すことにより厚さ70〜300 nmの薄膜を形成する誘電体薄膜の作製方法, 2)前記熱処理は酸素雰囲気中で温度 650〜850 °Cで行う,3)白金を下部電極に用いたシリコンウエハ上に成膜する場合,前記組成xの範囲を0.05〜0.6 とする。

請求項（抜粋）：

Ba ,Sr,Tiの各有機金属塩あるいは金属アルコキシドを溶媒に溶かした溶液を混合し,基板上にスピンコートして,熱処理することにより(Ba1-x Srx )TiO3 薄膜(0 ≦x≦1)を形成する際に,熱処理後の1層の厚みを10〜30 nm とし,スピンコートと熱処理を繰り返すことにより厚さ70〜300 nmの薄膜を形成することを特徴とする誘電体薄膜の作製方法。

IPC (3件)：

C23C 18/12 ,  C01G 23/00 ,  H01B 3/12 326

FI (3件)：

C23C 18/12 ,  C01G 23/00 C ,  H01B 3/12 326