特許

J-GLOBAL ID：200903081161240953

硬質セラミック材料等を用いた不活性化方法及び構造

発明者： ジョージ アルゴス ジュニア ,  ジョン ディー スパーノ ,  スティーブン ディー トレイノアー
出願人/特許権者： ラムトロン インターナショナル コーポレーション
代理人 (1件)： 前田 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-052145
公開番号（公開出願番号）：特開平8-055850
出願日： 1995年03月13日
公開日（公表日）： 1996年02月27日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 水素ガスの存在するところで劣化する強誘電体装置やその他の装置を有する集積回路のための理想的な不活性化層を提供する。【構成】 集積回路の不活性化方法は、集積回路の表面上に硬質層を高周波スパッタリングする工程を含む。硬質層34は、ドーピングされた及びドーピングされないチタン酸塩、ジルコン酸塩、ニオブ酸塩、タンタル酸塩、スズ酸塩、ハフニウム酸塩、及びマンガン酸塩のようなセラミック材料とすることができ、このセラミック材料は強誘電体相又は非強誘電体相のいずれかである。炭化物のような集積回路の加工では通常見られない硬質で通常は非強誘電体である他の物質を用いることもできる。もし、不活性化されることが求められている集積回路が、強誘電体装置を含むのであれば、硬質不活性化層は、集積された強誘電体装置において用いられるのと同じ物質から製作することができる。

請求項（抜粋）：

集積回路の表面上に硬質セラミック層を堆積させる工程を有する集積回路の表面を不活性化する方法。

IPC (9件)：

H01L 21/316 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 特開昭59-211236
  
• 特公平4-016938
  
• 特開平3-011769
  
• 特開平3-040297
  
• 特開昭63-178532
  
• 特開平4-364060