特許
J-GLOBAL ID：200903081162320543
バイポーラ・パワー・トランジスタおよび製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-506998
公開番号（公開出願番号）：特表2002-508889
出願日： 1998年05月25日
公開日（公表日）： 2002年03月19日
要約：
【要約】本発明は、無線周波数へのアプリケーションを主として意図した垂直バイポーラ・パワー・トランジスタに関し、かつ前記バイポーラ・パワー・トランジスタを製造する方法に関する。そのパワー・トランジスタは、基板(13)と、その基板上の第1導電形のコレクター層(15)と、そのコレクター層に電気的に接続される第2導電形のベース(19)と、そのベースに電気的に接続される前記第1導電形のエミッタ(21)とからなり、前記ベースおよび前記エミッタはそれぞれ金属相互接続層(31,33)に電気的に接続されており、前記相互接続層(31,33)は、前記コレクター層(15)から絶縁酸化膜(17)によって少なくとも部分的に分離されている。本発明によると、パワー・トランジスタは、実質的に、前記エミッタに電気的に接続され、かつ前記ベースの前記金属相互接続層と前記絶縁酸化膜との間に配置されるフィールド・シールド(25)からなる。
請求項（抜粋）：
基板と、その基板上の第1導電形のコレクター層と、そのコレクター層に電気的に接続される第2導電形のベースと、そのベースに電気的に接続される前記第1導電形のエミッタとからなり、前記ベースおよび前記エミッタは、それぞれ金属相互接続層に電気的に接続され、かつ前記金属相互接続層は、少なくとも部分的に絶縁酸化膜によって前記コレクター層から分離されている垂直バイポーラ・パワー・トランジスタであって、前記ベース(19)に電気的に接続される前記金属相互接続層(31)と前記絶縁酸化膜(17)との間に配置され、かつ前記エミッタ(21)に電気的に接続されるフィールド・シールド(25)を特徴とする前記垂直バイポーラ・パワー・トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/205
, H01L 29/73
