特許
J-GLOBAL ID:200903081164852712

電子放出素子の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 志村 浩
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-347383
公開番号(公開出願番号):特開平9-161666
出願日: 1995年12月13日
公開日(公表日): 1997年06月20日
要約:
【要約】【課題】 安定した電子放出が可能な電子放出素子を簡単なプロセスで製造する。【解決手段】 ガラス基板11上に、一対の電極12,13を形成する(図(b))。その上に、熱可塑性の樹脂層15を形成し(図(c) )、パターニングして樹脂層14aを形成する(図(d) )。この基板11をチャンバ内に入れ、加熱して樹脂層14aを軟化させる。チャンバ内を真空に保ち、導電性材料を加熱蒸発させると、導電性材料からなる微粒子14bが、軟化した樹脂層14a内に打ち込まれる(図(e) )。こうして、樹脂層14a内に導電性微粒子14bが一様に分散した薄膜構造が得られる。樹脂層14aは高抵抗体層として機能し、両電極12,13間に電圧を印加すると樹脂層14aの表面より電子放出が見られる。
請求項(抜粋):
導電性材料からなる微粒子を絶縁性材料からなる高抵抗体層中に分散してなる電子放出層を有する電子放出素子を製造する方法において、基板上に熱可塑性をもった樹脂層を形成し、前記樹脂層を加熱して軟化させた状態において、導電性材料からなる微粒子を前記樹脂層の表面から打ち込み、前記樹脂層の所定の深さ位置に前記微粒子が分散した状態の電子放出層を形成することを特徴とする電子放出素子の製造方法。
IPC (2件):
H01J 9/02 ,  H01J 1/30
FI (2件):
H01J 9/02 B ,  H01J 1/30 A

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