特許
J-GLOBAL ID:200903081168608468

高周波半導体集積回路装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高田 守
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-050353
公開番号(公開出願番号):特開平6-267745
出願日: 1993年03月11日
公開日(公表日): 1994年09月22日
要約:
【要約】【目的】 高周波半導体集積回路装置における高周波素子の整合回路部に用いられるスパイラルインダクタに流せる電流量の制限を緩和する。【構成】 スパイラルインダクタを構成している線路が交差する部分で、半導体基板1の溝に導電体3を埋め込む。線路2と溝に埋め込んだ導電体3とを立体交差させる。【効果】 従来用いていたエアブリッジの代わりに、半導体基板1に埋め込んだ導電体3を用いているので、導電体3の埋め込み量を調整し、導電体3の断面積を変えることにより電流量の制限を緩和することができる。
請求項(抜粋):
一方主面に溝を有する基板と、前記基板上に形成された線路を有するスパイラルインダクタとを備え、前記線路の一部が前記溝内に配設され、前記基板の前記一方主面より下に形成されていることを特徴とする高周波半導体集積回路装置。
IPC (3件):
H01F 17/00 ,  H01L 23/12 301 ,  H01L 27/04

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