特許
J-GLOBAL ID：200903081170182168
半導体基板の洗浄方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-127830
公開番号（公開出願番号）：特開平6-314679
出願日： 1993年04月30日
公開日（公表日）： 1994年11月08日
要約：
【要約】【目的】 半導体基板の表面に付着しているパーティクルや金属不純物を容易に除去する。【構成】 シリコン基板1をオゾンを含む超純水で洗浄してシリコン酸化膜3を形成し、このシリコン酸化膜3の内部や表面にパーティクル2および金属不純物Mを取り込む。次に、このシリコン基板1を希フッ酸水溶液で洗浄してシリコン酸化膜3をエッチング除去し、同時にパーティクル2および金属不純物Mを除去する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面を酸化することにより酸化膜を形成して上記半導体基板の上記表面に存在する異物および/または不純物を上記酸化膜の内部またはその表面に取り込み、次いで上記酸化膜を除去するようにしたことを特徴とする半導体基板の洗浄方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/306
, H01L 21/308
