特許
J-GLOBAL ID：200903081172413752
薄膜状半導体装置の作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-262315
公開番号（公開出願番号）：特開平11-154647
出願日： 1993年10月20日
公開日（公表日）： 1999年06月08日
要約：
【要約】【課題】 特性・信頼性の優れた薄膜トランジスタ(TFT)等の半導体装置を得る。【解決手段】 基板上に、窒化アルミニウムを主成分とする第1の被膜を形成する工程と、前記第1の被膜上に直接もしくは間接にシリコンを主成分とするアモルファスの第2の被膜を形成する工程と、前記第2の被膜を結晶化させた後、レーザーアニール、ランプアニール、もしくは同等な強光照射による光アニールをおこなう工程とを有することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基板上に、窒化アルミニウムを主成分とする第1の被膜を形成する工程と、前記第1の被膜上に直接もしくは間接にシリコンを主成分とするアモルファスの第2の被膜を形成する工程と、前記第2の被膜を結晶化させた後、レーザーアニール、ランプアニール、もしくは同等な強光照射による光アニールをおこなう工程とを有することを特徴とする薄膜状半導体装置の作製方法。
IPC (4件)：
H01L 21/20
, H01L 21/205
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 21/20
, H01L 21/205
, H01L 29/78 627 G
出願人引用 (10件)
全件表示
審査官引用 (6件)
全件表示
前のページに戻る
