磁気素子とそれを用いた磁気センサおよび磁気記憶装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：須山佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-185479
公開番号（公開出願番号）：特開2000-020922
出願日： 1998年06月30日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：

【要約】【課題】 GMR膜を構成する強磁性層の軟磁気特性を向上させると共に、各種熱処理や使用時における温度上昇などに伴う磁気抵抗効果特性や感度の劣化を抑制する。【解決手段】強磁性トンネル接合素子1、多重強磁性トンネル接合素子、スピンバルブ膜などのGMR膜を構成する強磁性層4に、それより酸化または窒化しやすい数原子層(1nm)以下程度の金属の酸化膜または窒化膜5を介して軟磁性層6を付与する。

請求項（抜粋）：

少なくとも 2層の強磁性層と、前記強磁性層間に介在され、かつ前記強磁性層間にトンネル電流を流し得る厚さを有する誘電体層とを具備する磁気素子において、前記強磁性層のうち少なくとも 1層には、前記強磁性層より酸化または窒化しやすい金属の酸化膜または窒化膜を介して軟磁性層が付与されていることを特徴とした磁気素子。

Fターム (3件)：

5D034BA04 , 5D034BA21 , 5D034CA02

引用特許：

審査官引用 (3件)

磁気記録再生装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-223277 出願人：株式会社日立製作所
磁気抵抗効果素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-111419 出願人：株式会社東芝
特開平4-356711

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