特許
J-GLOBAL ID:200903081178315868
液晶表示素子
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
田治米 登 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-264325
公開番号(公開出願番号):特開平6-214233
出願日: 1993年09月27日
公開日(公表日): 1994年08月05日
要約:
【要約】【目的】 強誘電性液晶素子において、高コントラストを保持しつつ、アナログ階調表示を実現できるようにする。更に、応答速度も向上させる。【構成】 一対の基板1a、1bの対向面上に透明電極2a、2b及びSiO斜方蒸着層3a、3bが順次形成されてなる液晶表示素子において、SiO斜方蒸着層3a、3b上に、更に電荷移動錯体薄膜6を設け、その後、電界処理を施して、液晶分子のプレチルト角に分布を持たせる。あるいはSiO斜方蒸着層上3a、3bに、更に最上層として有機導電性化合物薄膜、酸化物若しくはフッ化物薄膜又は金属薄膜を形成する。また、斜方蒸着層の斜方柱の間隙に導電性物質を入り込ませる。
請求項(抜粋):
一対の基板の対向面上に電極層及びSiO斜方蒸着層が順次形成されてなる液晶表示素子において、該一対の基板の間に配された液晶分子のプレチルト角の分布幅が、一画素内で6°以上であることを特徴とする液晶表示素子。
IPC (2件):
G02F 1/1337
, G02F 1/1337 510
引用特許:
審査官引用 (4件)
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特開平3-006526
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特開平3-106478
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特開昭55-161213
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