特許

J-GLOBAL ID：200903081182166141

真空蒸着装置及び真空蒸着方法

発明者： 浅野 隆史
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-040580
公開番号（公開出願番号）：特開2004-253504
出願日： 2003年02月19日
公開日（公表日）： 2004年09月09日
要約：

【課題】装置を大型化することなく成膜の均質性が維持できる、生産性の良い真空蒸着装置及び真空蒸着方法を得る。【解決手段】蒸発源114に対向するドーム型円盤14上に、ドーム型円盤14の中心14aを中心とする2つの同心円の一部を扇形に切り取ってその外側及び内側の円のそれぞれの端部をU字型に接続した形状の環状走路141を設置する。そして、この環状走路141上に複数の半導体基板112を保持し、これら半導体基板112を自転させながら環状走路141に沿って移動させる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

内部に蒸発源を有する真空槽内にこの蒸発源と対向させて前記蒸発源の上方に被蒸着部材を配置し、蒸発源からの蒸発流により被蒸着部材に成膜する真空蒸着装置において、 前記真空槽内にあらかじめ設定された環状走路を備え、この環状走路に沿って前記被蒸着部材を移動させることを特徴とする真空蒸着装置。

IPC (2件)：

H01L21/285 ,  C23C14/24

FI (2件)：

H01L21/285 P ,  C23C14/24 J

Fターム (7件)：

4K029AA06 ,  4K029BD01 ,  4K029CA01 ,  4K029JA08 ,  4K029KA01 ,  4M104DD34 ,  4M104HH20