特許
J-GLOBAL ID：200903081186463736
半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-213762
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066451
出願日： 1993年08月30日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：
【要約】【構成】 n型GaAs基板1にp型領域3を設け、このn型GaAs基板1とp型領域3に電極4、5を設けた半導体発光素子において、前記n型GaAs基板1の厚みを250μm以上にすると共に、発光スペクトルの最大発光強度をIO としたときに、IO /2部分の最長波長端λmが910nm以下になるようにZnを拡散して前記p型領域3を形成した。【効果】 p型領域3周辺部における発光滲みと隣接するp型領域からの漏れ発光を防止することができる。もって、電子写真プロセスの印画品質を著しく向上させることができる。また、製造プロセスを複雑化させることなく、製造歩留りの高い、安価な半導体発光素子を提供できる。さらに、量子効率の高い直接遷移型のGaAsを発光領域とできるため、発光強度が大きく、高速プリンター用の半導体発光素子アレイを供給できる。
請求項（抜粋）：
n型GaAs基板にp型領域を設け、このn型GaAs基板とp型領域に電極を設けた半導体発光素子において、前記n型GaAs基板の厚みを250μm以上にすると共に、発光スペクトルの最大発光強度をIO としたときに、IO /2部分の最長波長端λmが910nm以下になるようにZnを拡散して前記p型領域を形成したことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (4件)：
H01L 33/00
, B41J 2/44
, B41J 2/45
, B41J 2/455
