特許

J-GLOBAL ID：200903081190070374

半導体慣性センサ及びその製造方法

発明者： 柴谷 博志 ,  村石 賢介
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-072961
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270719
出願日： 1997年03月26日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】【課題】 ウェーハのレーザ加工が不要で大量生産に適し、寄生容量が低く、低コストの半導体慣性センサを得る。また寸法精度に優れた半導体慣性センサを得る。【解決手段】 半導体慣性センサ30は、シリコン基板10の上方に単結晶シリコンからなる可動電極26が設けられ、この可動電極26を挟んで単結晶シリコンからなる一対の固定電極27,28が設けられる。一対の固定電極27,28がガラススペーサ層13を介してシリコン基板10上に設けられる。

請求項（抜粋）：

ガラス基板(10)の上方に浮動するように設けられた単結晶シリコンからなる可動電極(26)と、前記ガラス基板(10)上に前記可動電極(26)を挟んで設けられた単結晶シリコンからなる一対の固定電極(27,28)とを備えた半導体慣性センサ(30)において、前記可動電極(26)を支持するビーム(31)の基端部(31a)がガラススペーサ層(13)を介して前記ガラス基板(10)上に設けられたことを特徴とする半導体慣性センサ。

IPC (3件)：

H01L 29/84 ,  G01C 19/56 ,  G01P 15/125

FI (3件)：

H01L 29/84 Z ,  G01C 19/56 ,  G01P 15/125