不揮発性半導体記憶装置、その駆動方法及び製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮井暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-244060
公開番号（公開出願番号）：特開2003-060090
出願日： 2001年08月10日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：

【要約】【課題】不揮発性半導体記憶装置の一つの記憶素子に多値情報が記憶可能な半導体記憶装置、その駆動方法および製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板111上に形成されたソース-ドレイン112、112′間の、絶縁膜に被覆されたフローティング・ゲートに固体電解質二次電池212を用い、二次電池が発生する電池電圧によりソース-ドレイン間のチャンネルコンダクタンスを変化させる。充電電気量によって複数の電池電圧を持たせることでゲート部でのチャンネルの閾値を可変とし、複数の情報を保持する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成されたソース拡散層およびドレイン拡散層と、前記ソース拡散層と前記ドレイン拡散層との間の前記半導体基板上に絶縁膜を介して形成される電荷保持部及びその背面に位置するゲート電極で構成される不揮発性半導体記憶装置であって、前記電荷保持部が固体電解質二次電池であることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (6件)：

H01L 21/8247 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01M 10/40 , H01M 10/44

FI (4件)：

H01M 10/40 B , H01M 10/44 Q , H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

Fターム (40件)：

5F083EP02 , 5F083EP22 , 5F083EP23 , 5F083FZ10 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA39 , 5F083JA60 , 5F083NA08 , 5F083PR36 , 5F083ZA21 , 5F101BA01 , 5F101BA61 , 5F101BB02 , 5F101BB05 , 5F101BC20 , 5F101BE05 , 5F101BE06 , 5F101BF10 , 5H029AJ14 , 5H029AK03 , 5H029AK05 , 5H029AL06 , 5H029AL07 , 5H029AL11 , 5H029AL12 , 5H029AM12 , 5H029AM13 , 5H029BJ04 , 5H029BJ12 , 5H029CJ05 , 5H029CJ16 , 5H030AA09 , 5H030AS11 , 5H030BB01 , 5H030BB21 , 5H030DD01 , 5H030DD20 , 5H030FF41 , 5H030FF52

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