特許

J-GLOBAL ID：200903081199306249

集積半導体装置

発明者： 瀬戸 一弘
出願人/特許権者： 株式会社トーキン
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-312251
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145401
出願日： 1997年11月13日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：

【要約】【課題】 小面積で低コストで製造可能であると共に、回路構造の解析が非常に困難な極めてセキュリティ性が高い集積半導体装置を提供すること。【解決手段】 この集積半導体装置において、電気容量素子12は、導体層6,16(導体層4,5と同様にアルミ薄膜を用いている)の主な部分により各電気回路素子(各MOSトランジスタ2及びダイオード素子3)の大部分を覆い隠すように電気絶縁層9 ́,10を介してシリコン基板1上から隔たった上部層に形成されており、導体層6真下の電気絶縁層9 ́は絶縁樹脂又はSiOx ,SiNx ,及びSiOx Ny のうちの何れか一つの材料により平坦化されており、導体層16真上の電気絶縁保護層11は最上部層として形成されている。尚、ここでは導体層16真下の電気絶縁層10(電気絶縁層7,8と同様にSiO2 薄膜を用いている)も平坦化されている。

請求項（抜粋）：

基板上に少なくとも一つの電気容量素子を含む複数の電気回路素子が形成された集積半導体装置において、前記電気容量素子は、導体層により前記複数の電気回路素子の大部分を覆い隠すように電気絶縁層を介して前記基板上から隔たった上部層に形成されており、前記電気絶縁層における前記電気容量素子下方の真下に位置されるものは平坦化されたことを特徴とする集積半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/82 ,  H01L 27/10 461 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (4件)：

H01L 27/04 Z ,  H01L 27/10 461 ,  H01L 21/82 Z ,  H01L 27/10 681 Z