特許
J-GLOBAL ID：200903081203232891
無機固体電解質の形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山野 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-259562
公開番号（公開出願番号）：特開2005-032731
出願日： 2004年09月07日
公開日（公表日）： 2005年02月03日
要約：
【課題】リチウム金属と接触させてもケイ素の還元反応にともなう無機固体電解質の経時的変質が抑制される硫化物系の無機固体電解質の形成方法を提供する。【解決手段】無機固体電解質の形成方法であって、基材上に無機固体電解質薄膜を形成するために、基材を40°C以上180°C以下に加熱しながら、Li、PおよびSで実質的に構成されて、Siを含有していない無機固体電解質薄膜を形成する。または、40°C未満の基材温度でLi、PおよびSで実質的に構成されて、Siを含有していない無機固体電解質薄膜を形成した後、薄膜の形成された基材を40°C以上180°C以下に加熱する。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
基材上に無機固体電解質薄膜を形成する無機固体電解質の形成方法であって、
基材を40°C以上180°C以下に加熱しながら、Li、PおよびSで実質的に構成されて、Siを含有していない無機固体電解質薄膜を形成することを特徴とする無機固体電解質の形成方法。
IPC (3件)：
H01M4/04
, C23C14/58
, H01B13/00
H01M4/04 A
, C23C14/58 A
, H01B13/00 Z
4K029AA02
, 4K029BA01
, 4K029BA64
, 4K029BB02
, 4K029CA01
, 4K029DB03
, 4K029DB05
, 4K029DB20
, 4K029GA01
, 5H029AJ05
, 5H029AJ06
, 5H029AK03
, 5H029AL12
, 5H029AM03
, 5H029AM05
, 5H029AM07
, 5H029AM12
, 5H029BJ13
, 5H029CJ02
, 5H029CJ24
, 5H029CJ25
, 5H029EJ03
, 5H029HJ02
, 5H029HJ14
, 5H050AA07
, 5H050AA12
, 5H050BA16
, 5H050CA08
, 5H050CB12
, 5H050DA09
, 5H050EA01
, 5H050FA04
, 5H050FA18
, 5H050GA02
, 5H050GA22
, 5H050GA24
, 5H050GA25
, 5H050HA02
, 5H050HA14
