特許
J-GLOBAL ID：200903081208679312
半導体素子の観察方法及びそれに用いる走査形電子顕微鏡
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
平木 祐輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-088801
公開番号（公開出願番号）：特開平7-296759
出願日： 1994年04月26日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：
【要約】【目的】 半導体素子の表面と内部の観察を同一の装置で行い、検査の迅速化と微細化対応を図る。【構成】 走査形電子顕微鏡の加速電源18、20を切り替えて照射電子ビーム15のエネルギーを半導体試料25を帯電することなく観察できる低エネルギー領域と高エネルギー領域の両領域に切り替えできるようにし、半導体プロセス検査で必要な表面観察と内部観察の両機能が得られるようにした。
請求項（抜粋）：
絶縁物薄膜が被覆された半導体素子を電子ビームで走査し、発生した電子又はX線を検出して走査像を得ることによる半導体素子の観察方法であって、前記絶縁物薄膜を帯電させない低エネルギー領域及び高エネルギー領域の電子ビームを用いて走査を行うことを特徴とする半導体素子の観察方法。
IPC (4件)：
H01J 37/22 502
, H01J 37/20
, H01J 37/244
, H01J 37/248
