特許
J-GLOBAL ID：200903081208805130
半田バンプの形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-048599
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263450
出願日： 1994年03月18日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：
【要約】【目的】 半導体素子を回路基板上にフリップチップ実装する半田バンプの形成方法に関し、半導体素子上に完全溶融した半田バンプを形成する。【構成】 支持基板1の凹部2に金属ペースト3を充填し、予め突起電極6を形成した半導体素子5を支持基板1上に載置する。半導体素子5の上には、赤外線を吸収して発熱する熱伝達用板8を載置する。赤外線併用リフロー炉により熱伝達用板8を加熱することにより、半導体素子5に十分熱が伝わり、完全溶融した半田バンプ7を得る。また熱伝達用板8は重りとして半導体素子5の位置ずれを防止する。
請求項（抜粋）：
表面に形成した凹部に金属材料を充填した支持基板上に、半導体素子に形成した突起電極が前記凹部に対向するよう前記半導体素子を支持基板に載置し、赤外線を吸収して発熱する材料にて形成した熱伝達用板を前記半導体素子上に載置し、赤外線による加熱とともに熱風により加熱された雰囲気で前記金属材料を溶融し、半導体素子の突起電極にバンプを形成するようにした半田バンプの形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/321
, H01L 21/60 311
