特許

J-GLOBAL ID：200903081211034063

半導体装置配線シード層形成用銅合金スパッタリングターゲットおよびこのターゲットを用いて形成したシード層

発明者： 野中 荘平
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (2件)： 富田 和夫 ,  鴨井 久太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-205681
公開番号（公開出願番号）：特開2004-193553
出願日： 2003年08月04日
公開日（公表日）： 2004年07月08日
要約：

【課題】LSIなどの半導体装置におけるエレクトロマイグレーション耐性に優れた銅配線を形成する際に下地層として形成するシード層およびこのシード層を得るための銅合金スパッタリングターゲットに関するものである。【解決手段】Ag:0.05〜2質量%を含み、さらにV,NbおよびTaの内の1種または2種以上を合計で0.03〜0.3質量%を含み、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金からなる。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

Ag:0.05〜2質量%を含み、さらにV,NbおよびTaの内の1種または2種以上を合計で0.03〜0.3質量%を含み、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金からなることを特徴とする半導体装置配線シード層形成用銅合金スパッタリングターゲット。

IPC (4件)：

H01L21/285 ,  C22C9/00 ,  C23C14/34 ,  H01L21/3205

FI (4件)：

H01L21/285 S ,  C22C9/00 ,  C23C14/34 A ,  H01L21/88 M

Fターム (27件)：

4K029BA08 ,  4K029CA05 ,  4K029DC02 ,  4K029DC04 ,  4M104BB04 ,  4M104BB32 ,  4M104BB38 ,  4M104BB39 ,  4M104DD40 ,  4M104DD42 ,  4M104FF18 ,  4M104HH01 ,  4M104HH02 ,  5F033HH11 ,  5F033HH32 ,  5F033LL02 ,  5F033LL09 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP15 ,  5F033PP16 ,  5F033RR04 ,  5F033RR08 ,  5F033WW04 ,  5F033XX05 ,  5F033XX06

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 金属シ-ド層を挿入する構造の銅の相互接続
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-117513   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション