固体撮像素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-062761
公開番号（公開出願番号）：特開平10-294446
出願日： 1994年11月22日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：

【要約】【課題】本発明は反射防止膜を受光部上に設けることにより、感度を向上し得る固体撮像素子を提供することを目的とする。【解決手段】 p+ 領域8、n領域9及びpウェル10からなるフォトダイオードがSi基板13に形成されている。Si基板13上には酸化膜5を介してゲート電極6が形成されている。ゲート電極6を覆うように遮光膜4が形成されている。また、酸化膜2上にはマイクロレンズ1が形成されている。このように、マイクロレンズ1及び遮光膜4が形成された固体撮像素子において、酸化膜2とSi基板13の境界面で、フォトダイオード上に酸化膜2の複素屈折率よりも大で、かつ、Si基板13の複素屈折率よりも小なる複素屈折率を持ち、吸収のない反射防止膜3が設けられている。

請求項（抜粋）：

受光部及び該受光部により光電変換された電荷を転送する電荷転送路とフォトダイオードとが少なくとも形成された半導体基板と、該半導体基板上に電気的に絶縁されて形成された電極と、該電極を含む前記半導体基板上に形成された第1の絶縁膜と、該半導体基板と該第1の絶縁膜との界面で前記受光部の上部に形成されており、該半導体基板及び該第1の絶縁膜の各複素屈折率の中間の複素屈折率を持ち、かつ、吸収のない一又は多層の反射防止膜とを有し、前記フォトダイオードは第1導電型領域および前記第1導電型領域上に設けられ所定の電圧が印加されている第2導電型領域よりなることを特徴とする固体撮像素子。

IPC (5件)：

H01L 27/14 , G02B 1/11 , G02B 5/28 , H01L 31/10 , H04N 5/335

FI (5件)：

H01L 27/14 D , G02B 5/28 , H04N 5/335 V , G02B 1/10 A , H01L 31/10 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

固体撮像素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-287679 出願人：日本電気株式会社
特開平4-152674
特開平4-277679

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