半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-147178
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340268
出願日： 1998年05月28日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：

【要約】【課題】リフトオフ法でハンダ膜パターンを形成する半導体装置の製造において、ウェハ裏面の傷に起因するクラックや電流リークを未然に防ぐ。【解決手段】 BLM膜6上を選択的に露出させる開口7aを有するレジスト・パターン7と、これを被覆するハンダ膜8とが形成されたウェハWの表面に粘着テープ10を貼付し、この状態でウェハWの裏面から基板1を削り代dだけ除去する。この削り代dは、傷5を除去してウェハWの裏面を平滑化できる量に設定する。この除去に用いられる平滑化手段21は、研削装置の砥石や、化学機械研磨装置の研磨布である。この後、粘着テープ10の剥離、レジスト・パターン7の剥離、ウェットバックを行ってハンダ・ボールを形成し、ウェハWをダイシングする。応力の集中する傷が消失するので、ダイシングや実装の際のデバイス不良を防止できる。

請求項（抜粋）：

素子が形成された基体の一主面上にハンダ・ボールの形成予定部位を選択的に露出させるためのレジスト・パターンを形成する第1工程と、前記基体の全面に、ハンダ膜を被着させる第2工程と、前記基体の全面に該基体上の凸部と接触させるごとく略平坦に粘着テープを貼付する第3工程と、前記基体の反対側主面の側から該基体の厚み方向の一部を除去することにより該反対側主面を平滑化する第4工程と前記粘着テープを剥離することにより、前記ハンダ膜のうち前記レジスト・パターンの上面に被着された不要部を除去する第5工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/60 , H01L 21/304 631

FI (3件)：

H01L 21/92 604 C , H01L 21/304 631 , H01L 21/92 604 A

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