半導体レーザ素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-244499
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097572
出願日： 1992年09月14日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】II-VI族半導体レーザの特性、特に閾値電流の低減,室温連続発振及び高温動作を図って改善する。【構成】(100)面n型ZnSe基板1の上にClドープn型ZnSe光導波層2,Clドープn型ZnSzSe1-z歪導波層3,アンドープCdxZn1-xSe/ZnSz1Se1-z1多重量子構造活性層10(アンドープCdxZn1-xSe量子井戸層4層及びZnSz1Se1-z1量子障壁層4層),Nドープp型ZnSe光導波層5,Clドープn型ZnSe電流狭窄層6を順次分子線エピタキシー(MBE)法によりエピタキシャル成長させ、ホトリソグラフィ技術とエッチングにより、層6から層5に到るストライプ状メサを形成する。ホトレジストを除去して、MBE法によりNドープp型ZnSeコンタクト層7を埋込成長させ、p側電極AuZn及びn側電極Inを蒸着し、劈開スクライブして素子を作製する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、有機金属気相成長(MOCVD)法又は分子線エピタキシー(MBE)法により成長された禁制帯幅の大きな光導波層と禁制帯幅の小さい発光活性層からなるダブルヘテロ接合構造において、該発光活性層をCd<SB>x</SB>Zn<SB>1-x</SB>Se(0<x<1)圧縮歪層及び該光導波層をCd<SB>y</SB>Zn<SB>1-y</SB>Se(0≦y<x<1)層とし、該発光活性層よりも禁制帯幅の大きいZnS<SB>z</SB>Se<SB>1-z</SB>(0<z<1)歪導波層を該発光活性層の少なくとも片側に隣接して設けることを特徴とする半導体レーザ素子。

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