半導体発光素子、およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田稔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-220206
公開番号（公開出願番号）：特開平8-083929
出願日： 1994年09月14日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：

【要約】【目的】絶縁基板を用いた半導体発光素子であっても、半導体発光素子の上下両面に電極が形成されているタイプと同様な製造ラインを用いて少ない工程数でのボンディング作業が行えるようにし、また電極の形成箇所を確保するために発光層の面積を減少させるような必要もなくし、発光輝度を高める。【構成】絶縁基板2の表面上に、n型半導体層3、発光層4、およびp型半導体層5から構成される積層部6が形成されている半導体発光素子において、上記絶縁基板2には、上記積層部6のうち最下層のn型またはp型の半導体層31の形成位置から絶縁基板2の裏面にわたって形成されたスルーホール70内に導電性物質mが充填されたコンタクトホール7が形成され、上記絶縁基板2の裏面には、上記コンタクトホール7を介して上記最下層の半導体層31に導通する導電性膜8が形成されている。

請求項（抜粋）：

絶縁基板の表面上に、n型半導体層、発光層、およびp型半導体層から構成される積層部が形成されている半導体発光素子において、上記絶縁基板には、上記積層部のうち最下層のn型またはp型の半導体層の形成位置から絶縁基板の裏面にわたって形成されたスルーホール内に導電性物質が充填されたコンタクトホールが形成され、かつ、上記絶縁基板の裏面には、上記コンタクトホールを介して上記最下層の半導体層に導通する導電性膜が形成されていることを特徴とする、半導体発光素子。

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平1-138768
特開平1-280368
特開平1-251675

全件表示

前のページに戻る