特許

J-GLOBAL ID：200903081218690144

液晶表示装置およびその欠陥修正方法

発明者： 中西 勇夫 ,  岡副 博之
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-147252
公開番号（公開出願番号）：特開2001-330850
出願日： 2000年05月19日
公開日（公表日）： 2001年11月30日
要約：

【要約】【課題】 補助容量の欠陥に起因する表示欠陥の修正が容易な構造を備える液晶表示装置およびその欠陥修正方法を提供することにより、液晶表示装置の製造歩留まりを向上する。【解決手段】 補助容量電極14は、第1領域14a、第2領域14b、および第3領域14cを有する。第1領域14aは、接続配線24と接続される接続端14tと、第1コンタクトホール19a内に露出されるコンタクト部14hとを含み、第2領域14bは、第1領域14aおよび第2領域14bよりも幅の狭い第3領域14cを介して、第1領域14aと電気的に接続されている。補助容量電極14の第3領域14cを切断し、第1領域14aと第2領域14bとを互いに電気的に切断することによって、第2領域14bの欠陥に起因する表示不良が修正される。

請求項（抜粋）：

マトリクス状に配置された複数の絵素容量と、前記複数の絵素容量のそれぞれに電気的に接続された薄膜トランジスタとを有し、前記複数の絵素容量のそれぞれは、液晶容量と、前記液晶容量に電気的に並列に接続された補助容量とを有し、前記液晶容量は、第1基板に形成された絵素電極と、第2基板に形成された対向電極と、前記絵素電極と前記対向電極との間に設けられた液晶層とを有し、前記補助容量は、前記第1基板に形成された補助容量共通配線および補助容量電極と、前記補助容量共通配線と前記補助容量電極との間に設けられた第1絶縁層とを有し、前記第1基板は、前記薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタのゲート電極に接続された走査配線と、前記薄膜トランジスタのソース電極に接続された信号配線と、前記薄膜トランジスタのドレイン電極と前記補助容量電極とを電気的に互いに接続する第1接続配線と、少なくとも前記ドレイン電極、前記補助容量電極および前記第1接続配線の上に形成された第2絶縁層とをさらに有し、前記絵素電極は、前記第2絶縁層上に形成されており、前記補助容量電極上に位置する前記第2絶縁層に形成された第1コンタクトホール内において、前記補助容量電極に接続されており、前記補助容量電極は、第1、第2および第3領域を有し、前記第1領域は、前記接続配線と接続される接続端と、前記第1コンタクトホール内に露出されるコンタクト部とを含み、前記第2領域は、前記第1領域および前記第2領域よりも幅の狭い前記第3領域を介して、前記第1領域と電気的に接続されており、前記第3領域は、前記補助容量共通配線と重ならない位置に形成されている、液晶表示装置。

IPC (4件)：

G02F 1/1368 ,  G09F 9/00 352 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 29/786

FI (4件)：

G09F 9/00 352 ,  G09F 9/30 338 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 612 A

Fターム (44件)：

2H092JA26 ,  2H092JB56 ,  2H092JB69 ,  2H092JB72 ,  2H092JB73 ,  2H092KA12 ,  2H092KB22 ,  2H092MA37 ,  2H092MA47 ,  2H092MA52 ,  2H092NA13 ,  2H092NA29 ,  2H092PA08 ,  5C094AA42 ,  5C094AA45 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094EA04 ,  5C094EA05 ,  5C094EB02 ,  5C094ED02 ,  5C094HA08 ,  5F110AA27 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110HK09 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN73 ,  5G435AA17 ,  5G435AA19 ,  5G435BB12 ,  5G435GG12 ,  5G435KK05 ,  5G435KK10 ,  5G435LL04 ,  5G435LL08