特許

J-GLOBAL ID：200903081221937150

半導体光素子

発明者： 青木 雅博 ,  谷渡 剛 ,  鈴木 誠
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-051672
公開番号（公開出願番号）：特開平6-268316
出願日： 1993年03月12日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】【目的】 本発明の目的は、光分岐導波路を有する半導体光素子の分岐部での極低光導波損失、作製誤差の少ない安定な分岐比を極めて容易に実現する構造を提供することにある。【構成】 光分岐導波路(8)が形成される位置に光分岐導波路と同じ形状の間隙が設けられたパターニング形状を有する絶縁膜マスク(7)を施した半導体基板上(1)に結晶成長を行い、半導体の露出した間隙部のみに選択的に結晶成長(選択成長)する。これにより導波路形状を形成した分岐導波路を有する半導体光素子を得る。【効果】 光導波損失が極めて少なく且つ作製誤差の少ない安定な分岐比を有する半導体光分岐導波路が極めて容易に実現できる。本素子を用いれば、素子作製精度、歩留まりが飛躍的に向上するだけでなく、この素子を適用した光通信システムの高速化、長距離化を容易に実現できる。

請求項（抜粋）：

化合物半導体からなる第1の光導波路と、化合物半導体からなる第2の光導波路と、これらの光導波路から伝搬する導波光を合波するための光合波導波路3またはこれらの光導波路に導波光を分波するための光分波導波路4もしくはその両者を全て同一基板平面内に有する半導体光素子において光導波路が形成される位置に光導波路と同じ形状の間隙が設けられたパターニング形状を有する絶縁膜マスクを施した半導体基板上への結晶成長を用いて作製することを特徴とする半導体光素子。