特許

J-GLOBAL ID：200903081224356965

液晶表示装置

発明者： 猪野 益充
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-351648
公開番号（公開出願番号）：特開平5-297413
出願日： 1992年12月08日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：

【要約】【目的】 トレンチ内壁に沿って形成された多結晶半導体層の固相成長処理を均一且つ有効に行なう事を目的とする。【構成】 アクティブマトリクスタイプの液晶表示装置は、一対の絶縁基板とその間に挟持された液晶層とから構成されいてる。一方の絶縁基板1の上にはマトリクス状に配列された画素電極2と、この画素電極2に接続された薄膜トランジスタ3と、画素電極2の電荷を保持する為の補助容量4とが形成されている。薄膜トランジスタ3は、絶縁基板1に形成された側面がテーパを有する溝部5の内壁に沿って形成された多結晶半導体層6と、この多結晶半導体層上に形成されたゲート絶縁膜7と、このゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極8とからなる。多結晶半導体層6はテーパ面に沿って形成されているのでSi+イオンの全面的なイオン注入が可能となり均一な固相成長処理が実現できる。一方、別の溝部12に形成された補助容量4の第1電極13を構成する多結晶半導体は、その膜厚よりも大きな粒径サイズを有する結晶を含んでおり周波数追従性が改善できる。

請求項（抜粋）：

一対の絶縁基板と、これら絶縁基板間に挟持された液晶層と、前記絶縁基板の一方の基板上にマトリクス状に配列された画素電極と、この画素電極に接続された薄膜トランジスタと、前記画素電極の電荷を保持する為の補助容量とを備えた液晶表示装置において、前記薄膜トランジスタは、絶縁基板に形成された側面がテーパを有する溝部の内壁に沿って形成された半導体層と、この半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とからなる事を特徴とする液晶表示装置。

IPC (3件)：

G02F 1/136 500 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/784

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-354805   出願人：ソニー株式会社