特許

J-GLOBAL ID：200903081227595634

半導体デバイスの製造方法、MOSデバイス、半導体製造装置

発明者： 川口 健一 ,  高橋 和彦
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-086826
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286258
出願日： 1999年03月29日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：

【要約】【課題】 酸化膜成長速度が大きくて、酸化膜形成に長時間を要することが無く、また、ダングリングボンドを未終端のまま残すことが無く、ダングリングボンドの終端を良好なものとし、また界面における欠陥の発生を軽減することができる半導体デバイスを得る。【解決手段】 半導体の熱酸化工程および界面改質工程における熱処理において、導入ガスに紫外線を照射し、導入ガス分子を、同ガス分子を構成する元素の原子状態または前記ガス分子の分子量以下の分子量を持つ化学種に解離または励起させることにより、酸化、およびダングリングボンドの終端反応を促進させるようにした。

請求項（抜粋）：

半導体をガス中において熱処理し、半導体を構成する元素の一部または全部を前記ガスを構成する他の元素と反応させる工程を有する半導体デバイスの製造方法において、前記半導体の熱処理が、前記ガス分子を、同ガス分子を構成する元素の原子状態または前記ガス分子の分子量以下の分子量を持つ化学種に解離または励起させるための手段を備えた状況下で行われることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/316 S ,  H01L 21/31 E ,  H01L 29/78 301 Y ,  H01L 29/78 301 B

Fターム (21件)：

5F040DC02 ,  5F040EC07 ,  5F040EH02 ,  5F040FC05 ,  5F045AA11 ,  5F045AB06 ,  5F045AB32 ,  5F045AC11 ,  5F045AF02 ,  5F045BB09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA05 ,  5F045HA15 ,  5F045HA16 ,  5F045HA18 ,  5F058BA20 ,  5F058BB10 ,  5F058BC02 ,  5F058BF62 ,  5F058BF78 ,  5F058BG01